SLC和MLC的實(shí)現(xiàn)機(jī)制

Nand Flash按照內(nèi)部存儲(chǔ)數(shù)據(jù)單元的電壓的不同層次，也就是單個(gè)內(nèi)存單元中，是存儲(chǔ)1位數(shù)據(jù)，還是多位數(shù)據(jù)，可以分為SLC和MLC：

1. SLC，Single Level Cell:

單個(gè)存儲(chǔ)單元，只存儲(chǔ)一位數(shù)據(jù)，表示成1或0.

就是上面介紹的，對(duì)于數(shù)據(jù)的表示，單個(gè)存儲(chǔ)單元中內(nèi)部所存儲(chǔ)電荷的電壓，和某個(gè)特定的閾值電壓Vth，相比，如果大于此Vth值，就是表示1，反之，小于Vth，就表示0.

對(duì)于nand Flash的數(shù)據(jù)的寫(xiě)入1，就是控制External Gate去充電，使得存儲(chǔ)的電荷夠多，超過(guò)閾值Vth，就表示1了。而對(duì)于寫(xiě)入0，就是將其放電，電荷減少到小于Vth，就表示0了。

關(guān)于為何Nand Flash不能從0變成1，我的理解是，物理上來(lái)說(shuō)，是可以實(shí)現(xiàn)每一位的，從0變成1的，但是實(shí)際上，對(duì)于實(shí)際的物理實(shí)現(xiàn)，出于效率的考慮，如果對(duì)于，每一個(gè)存儲(chǔ)單元都能單獨(dú)控制，即，0變成1就是，對(duì)每一個(gè)存儲(chǔ)單元單獨(dú)去充電，所需要的硬件實(shí)現(xiàn)就很復(fù)雜和昂貴，同時(shí)，所進(jìn)行對(duì)塊擦除的操作，也就無(wú)法實(shí)現(xiàn)之前的，一閃而過(guò)的速度了，也就失去了Flash的眾多特性了。

// 也就是放電的思路還是容易些。1->0

2. MLC，Multi Level Cell：

與SLC相對(duì)應(yīng)，就是單個(gè)存儲(chǔ)單元，可以存儲(chǔ)多個(gè)位，比如2位，4位等。其實(shí)現(xiàn)機(jī)制，說(shuō)起來(lái)比較簡(jiǎn)單，就是，通過(guò)控制內(nèi)部電荷的多少，分成多個(gè)閾值，通過(guò)控制里面的電荷多少，而達(dá)到我們所需要的存儲(chǔ)成不同的數(shù)據(jù)。比如，假設(shè)輸入電壓是Vin＝4V（實(shí)際沒(méi)有這樣的電壓，此處只是為了舉例方便），那么，可以設(shè)計(jì)出2的2次方＝4個(gè)閾值，1/4的Vin＝1V，2/4的Vin＝2V，3/4的Vin＝3V，Vin＝4V，分別表示2位數(shù)據(jù)00，01，10，11，對(duì)于寫(xiě)入數(shù)據(jù)，就是充電，通過(guò)控制內(nèi)部的電荷的多少，對(duì)應(yīng)表示不同的數(shù)據(jù)。

對(duì)于讀取，則是通過(guò)對(duì)應(yīng)的內(nèi)部的電流（與Vth成反比），然后通過(guò)一系列解碼電路完成讀取，解析出所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。這些具體的物理實(shí)現(xiàn)，都是有足夠精確的設(shè)備和技術(shù)，才能實(shí)現(xiàn)精確的數(shù)據(jù)寫(xiě)入和讀出的。

單個(gè)存儲(chǔ)單元可以存儲(chǔ)2位數(shù)據(jù)的，稱(chēng)作2的2次方＝4 Level Cell，而不是2 Level Cell；

同理，對(duì)于新出的單個(gè)存儲(chǔ)單元可以存儲(chǔ)4位數(shù)據(jù)的，稱(chēng)作2的4次方＝16 Level Cell。

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