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NAND 閃存的缺點(diǎn)在于讀速度較慢,它的I/O 端口只有8 個,比 NOR 要少多了。這區(qū)區(qū) 8 個I/O 端口只能以信號輪流傳送的方式完成數(shù)據(jù)的傳送,速度要比 NOR 閃存的并行傳輸模式慢得多。再加上 NAND 閃存的邏輯為電子盤模塊結(jié)構(gòu),內(nèi)部不存在專門的存儲控制器,一旦出現(xiàn)數(shù)據(jù)壞塊將無法修,可靠性較 NOR 閃存要差。
當(dāng)討論軟件支持的時候,應(yīng)該區(qū)別基本的讀/寫/擦操作和高一級的用于磁盤仿真和閃存管理算法的軟件,包括性能優(yōu)化。
在NOR器件上運(yùn)行代碼不需要任何的軟件支持,在NAND器件上進(jìn)行同樣操作時,通常需要驅(qū)動程序,也就是內(nèi)存技術(shù)驅(qū)動程序(MTD),NAND和NOR器件在進(jìn)行寫入和擦除操作時都需要MTD。
使用NOR器件時所需要的MTD要相對少一些,許多廠商都提供用于NOR器件的更高級軟件,這其中包括M-System的TrueFFS驅(qū)動,該驅(qū)動被Wind River System、Microsoft、QNX Software System、Symbian和Intel等廠商所采用。
驅(qū)動還用于對DiskOnChip產(chǎn)品進(jìn)行仿真和NAND閃存的管理,包括糾錯、壞塊處理和損耗平衡。
NAND 閃存被廣泛用于移動存儲、數(shù)碼相機(jī)、 MP3 播放器、掌上電腦等新興數(shù)字設(shè)備中。由于受到數(shù)碼設(shè)備強(qiáng)勁發(fā)展的帶動, NAND 閃存一直呈現(xiàn)指數(shù)級的超高速增長, NAND 可望在近期超過 NOR 成為閃存技術(shù)的主導(dǎo)。
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