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NAND flash和NOR flash在軟件支持方面的差別

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雷龍發(fā)展 發(fā)表于 2018-7-13 17:59:21 | 只看該作者 |倒序?yàn)g覽 |閱讀模式

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NAND 閃存的缺點(diǎn)在于讀速度較慢,它的I/O 端口只有8 個(gè),比 NOR 要少多了。這區(qū)區(qū) 8 個(gè)I/O 端口只能以信號(hào)輪流傳送的方式完成數(shù)據(jù)的傳送,速度要比 NOR 閃存的并行傳輸模式慢得多。再加上 NAND 閃存的邏輯為電子盤(pán)模塊結(jié)構(gòu),內(nèi)部不存在專(zhuān)門(mén)的存儲(chǔ)控制器,一旦出現(xiàn)數(shù)據(jù)壞塊將無(wú)法修,可靠性較 NOR 閃存要差。

當(dāng)討論軟件支持的時(shí)候,應(yīng)該區(qū)別基本的讀/寫(xiě)/擦操作和高一級(jí)的用于磁盤(pán)仿真和閃存管理算法的軟件,包括性能優(yōu)化。

在NOR器件上運(yùn)行代碼不需要任何的軟件支持,在NAND器件上進(jìn)行同樣操作時(shí),通常需要驅(qū)動(dòng)程序,也就是內(nèi)存技術(shù)驅(qū)動(dòng)程序(MTD),NAND和NOR器件在進(jìn)行寫(xiě)入和擦除操作時(shí)都需要MTD。

使用NOR器件時(shí)所需要的MTD要相對(duì)少一些,許多廠商都提供用于NOR器件的更高級(jí)軟件,這其中包括M-System的TrueFFS驅(qū)動(dòng),該驅(qū)動(dòng)被Wind River System、Microsoft、QNX Software System、Symbian和Intel等廠商所采用。

驅(qū)動(dòng)還用于對(duì)DiskOnChip產(chǎn)品進(jìn)行仿真和NAND閃存的管理,包括糾錯(cuò)、壞塊處理和損耗平衡。

NAND 閃存被廣泛用于移動(dòng)存儲(chǔ)、數(shù)碼相機(jī)、 MP3 播放器、掌上電腦等新興數(shù)字設(shè)備中。由于受到數(shù)碼設(shè)備強(qiáng)勁發(fā)展的帶動(dòng), NAND 閃存一直呈現(xiàn)指數(shù)級(jí)的超高速增長(zhǎng), NAND 可望在近期超過(guò) NOR 成為閃存技術(shù)的主導(dǎo)。
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