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NAND Flash分為SLC(Single-Level Cell)、MLC(Multi-Level Cell)、TLC(Triple-Level Cell)等三種。
早期NAND Flash應(yīng)用是以SLC(Single-Level Cell)技術(shù)為主,SLC芯片雖然質(zhì)量好,但成本價(jià)格都較高,因此應(yīng)用范圍不廣泛,多以極高階產(chǎn)品為主。
MLC芯片推出后,雖然也經(jīng)過一段期間的陣痛期,主要是因?yàn)镸LC芯片讀寫次數(shù)和效能上遠(yuǎn)不如SLC芯片,但隨著效能大幅改善后,MLC芯片也逐漸成為NAND Flash產(chǎn)業(yè)主流,并在價(jià)格下滑后,導(dǎo)入多領(lǐng)域應(yīng)用范圍?,F(xiàn)在MLC芯片性價(jià)比提升,也逐漸導(dǎo)入許多應(yīng)用領(lǐng)域包括軍規(guī)、航空、車用、云端運(yùn)算用服務(wù)器、工業(yè)用等,還包括筆記本電腦(NB)等如Ultrabook市場(chǎng)。
而TLC芯片則是當(dāng)中質(zhì)量最低的,不過成本也便宜,主要是用于對(duì)速度要求不高的快閃記憶卡和隨身碟等產(chǎn)品上,目前TLC芯片還不能用在中高階或是特殊領(lǐng)域產(chǎn)品上
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