Nand Flash引腳(Pin)的說(shuō)明

圖3.Nand Flash引腳功能說(shuō)明

上圖是常見(jiàn)的Nand Flash所擁有的引腳（Pin）所對(duì)應(yīng)的功能，簡(jiǎn)單翻譯如下：

1. I/O0 ~ I/O7：用于輸入地址/數(shù)據(jù)/命令，輸出數(shù)據(jù)

2. CLE：Command Latch Enable，命令鎖存使能，在輸入命令之前，要先在模式寄存器中，設(shè)置CLE使能

3. ALE：Address Latch Enable，地址鎖存使能，在輸入地址之前，要先在模式寄存器中，設(shè)置ALE使能

4. CE#：Chip Enable，芯片使能，在操作Nand Flash之前，要先選中此芯片，才能操作

5. RE#：Read Enable，讀使能，在讀取數(shù)據(jù)之前，要先使CE＃有效。

6. WE#：Write Enable，寫使能,在寫取數(shù)據(jù)之前，要先使WE＃有效。

7. WP#：Write Protect，寫保護(hù)

8. R/B#:Ready/Busy Output,就緒/忙,主要用于在發(fā)送完編程/擦除命令后,檢測(cè)這些操作是否完成,忙,表示編程/擦除操作仍在進(jìn)行中,就緒表示操作完成.

9. Vcc：Power，電源

10. Vss：Ground，接地

11. N.C：Non-Connection,未定義，未連接。

[小常識(shí)]

在數(shù)據(jù)手冊(cè)中，你常會(huì)看到，對(duì)于一個(gè)引腳定義，有些字母上面帶一橫杠的，那是說(shuō)明此引腳/信號(hào)是低電平有效，比如你上面看到的RE頭上有個(gè)橫線，就是說(shuō)明，此RE是低電平有效，此外，為了書寫方便，在字母后面加“?！?，也是表示低電平有效，比如我上面寫的CE＃；如果字母頭上啥都沒(méi)有，就是默認(rèn)的高電平有效，比如上面的CLE，就是高電平有效。

【為何需要ALE和CLE】

突然想明白了，Nand Flash中,為何設(shè)計(jì)這么多的命令,把整個(gè)系統(tǒng)搞這么復(fù)雜的原因了:

比如命令鎖存使能(Command Latch Enable,CLE)和地址鎖存使能(Address Latch Enable，ALE)，那是因?yàn)?font face="宋體">，Nand Flash就8個(gè)I/O，而且是復(fù)用的，也就是，可以傳數(shù)據(jù)，也可以傳地址，也可以傳命令，為了區(qū)分你當(dāng)前傳入的到底是啥，所以，先要用發(fā)一個(gè)CLE（或ALE）命令，告訴nand Flash的控制器一聲，我下面要傳的是命令（或地址），這樣，里面才能根據(jù)傳入的內(nèi)容，進(jìn)行對(duì)應(yīng)的動(dòng)作。否則,nand flash內(nèi)部,怎么知道你傳入的是數(shù)據(jù),還是地址,還是命令啊,也就無(wú)法實(shí)現(xiàn)正確的操作了.

【Nand Flash只有8個(gè)I/O引腳的好處】

1. 減少外圍引腳：相對(duì)于并口(Parellel)的Nor Flash的48或52個(gè)引腳來(lái)說(shuō)，的確是大大減小了引腳數(shù)目，這樣封裝后的芯片體積，就小很多?，F(xiàn)在芯片在向體積更小，功能更強(qiáng)，功耗更低發(fā)展，減小芯片體積，就是很大的優(yōu)勢(shì)。同時(shí)，減少芯片接口，也意味著使用此芯片的相關(guān)的外圍電路會(huì)更簡(jiǎn)化，避免了繁瑣的硬件連線。

2. 提高系統(tǒng)的可擴(kuò)展性，因?yàn)闆](méi)有像其他設(shè)備一樣用物理大小對(duì)應(yīng)的完全數(shù)目的addr引腳，在芯片內(nèi)部換了芯片的大小等的改動(dòng)，對(duì)于用全部的地址addr的引腳，那么就會(huì)引起這些引腳數(shù)目的增加，比如容量擴(kuò)大一倍，地址空間/尋址空間擴(kuò)大一倍，所以，地址線數(shù)目/addr引腳數(shù)目，就要多加一個(gè)，而對(duì)于統(tǒng)一用8個(gè)I/O的引腳的Nand Flash，由于對(duì)外提供的都是統(tǒng)一的8個(gè)引腳，內(nèi)部的芯片大小的變化或者其他的變化，對(duì)于外部使用者(比如編寫nand flash驅(qū)動(dòng)的人)來(lái)說(shuō)，不需要關(guān)心，只是保證新的芯片，還是遵循同樣的接口，同樣的時(shí)序，同樣的命令，就可以了。這樣就提高了系統(tǒng)的擴(kuò)展性。

【Nand flash的一些典型(typical)特性】

1.頁(yè)擦除時(shí)間是200us，有些慢的有800us。

2.塊擦除時(shí)間是1.5ms.

3.頁(yè)數(shù)據(jù)讀取到數(shù)據(jù)寄存器的時(shí)間一般是20us。

4.串行訪問(wèn)（Serial access）讀取一個(gè)數(shù)據(jù)的時(shí)間是25ns，而一些舊的nand flash是30ns，甚至是50ns。

5.輸入輸出端口是地址和數(shù)據(jù)以及命令一起multiplex復(fù)用的。

6.以前老的Nand Flash，編程/擦除時(shí)間比較短，比如K9G8G08U0M，才5K次，而后來(lái)很多nand flash的編程/擦除的壽命，最多允許的次數(shù)，達(dá)到了10K次，也就是1萬(wàn)次，現(xiàn)在很多新的nand flash，技術(shù)提高了，比如，ATO的AFND1G08U3都可以達(dá)到100K，也就是10萬(wàn)次的編程/擦除。和之前常見(jiàn)的Nor Flash達(dá)到同樣的使用壽命了。

7.48引腳的TSOP1封裝或 48引腳的FBGA封裝

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