NAND Flash的壞塊

1.為什么會(huì)出現(xiàn)壞塊
　 由于NAND Flash的工藝不能保證NAND的Memory Array（由NAND cell組成的陣列）在其生命周期中保持性能的可靠（電荷可能由于其他異常原因沒(méi)有被鎖起來(lái)，可參考“NOR flash和 NAND flash的掉電保存原理介紹”這篇文章。

），因此，在NAND的生產(chǎn)中及使用過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生壞塊。壞塊的特性是：當(dāng)編程/擦除這個(gè)塊時(shí)，不能將某些位拉高，這 會(huì)造成Page Program和Block Erase操作時(shí)的錯(cuò)誤，相應(yīng)地反映到Status Register的相應(yīng)位。

2.壞塊的分類
　 總體上，壞塊可以分為兩大類
　 （1） 固有壞塊
　 　 這是生產(chǎn)過(guò)程中產(chǎn)生的壞塊，一般芯片原廠都會(huì)在出廠時(shí)都會(huì)將壞塊第一個(gè)page的spare area的第6個(gè)byte標(biāo)記為不等于0xff的值。出廠時(shí)，ATO solution原廠也會(huì)保證第一個(gè)塊一定不是壞塊。
　 （2） 使用壞塊
　 　 這是在NAND Flash使用過(guò)程中，如果Block Erase或者Page Program錯(cuò)誤，就可以簡(jiǎn)單地將這個(gè)塊作為壞塊來(lái)處理，這個(gè)時(shí)候需要把壞塊標(biāo)記起來(lái)。為了和固有壞塊信息保持一致，將新發(fā)現(xiàn)的壞塊的第一個(gè)page的 spare area的第6個(gè)Byte標(biāo)記為非0xff的值。

3.壞塊管理
　 根據(jù)上面的這些敘述，可以了解NAND Flash出廠時(shí)在spare area中已經(jīng)反映出了壞塊信息，因此，如果在擦除一個(gè)塊之前，一定要先check一下spare area的第6個(gè)byte是否是0xff，如果是就證明這是一個(gè)好塊，可以擦除；如果是非0xff，那么就不能擦除。
當(dāng)然，這樣處理可能會(huì)犯一個(gè)錯(cuò)誤―――“錯(cuò)殺偽壞塊”，因?yàn)樵谛酒僮鬟^(guò)程中可能由于電壓不穩(wěn)定等偶然因素會(huì)造成NAND操作的錯(cuò)誤。但是，為了數(shù)據(jù)的可 靠性及軟件設(shè)計(jì)的簡(jiǎn)單化，我們就要奉行“蔣委員長(zhǎng)”的“寧可錯(cuò)殺一千，也決不放過(guò)一個(gè)”的宗旨。

4.補(bǔ)充
　 （1）需要對(duì)前面由于Page Program錯(cuò)誤發(fā)現(xiàn)的壞塊進(jìn)行一下特別說(shuō)明。如果在對(duì)一個(gè)塊的某個(gè)page進(jìn)行編程的時(shí)候發(fā)生了錯(cuò)誤就要把這個(gè)塊標(biāo)記為壞塊，首先就要把其他好的page里面的內(nèi)容備份到另外一個(gè)空的好塊里面，然后，把這個(gè)塊標(biāo)記為壞塊。
當(dāng)然，這可能會(huì)犯“錯(cuò)殺”之誤，一個(gè)補(bǔ)救的辦法，就是在進(jìn)行完頁(yè)備份之后，再將這個(gè)塊擦除一遍，如果Block Erase發(fā)生錯(cuò)誤，那就證明這個(gè)塊是個(gè)真正的壞塊，那就毫不猶豫地將它打個(gè)“戳”吧！
　 （2）可能有人會(huì)問(wèn)，為什么要使用spare area的第六個(gè)byte作為壞塊標(biāo)記。這是NAND Flash生產(chǎn)商的默認(rèn)約定，你可以看到Samsung,Toshiba,ATO solution都是使用這個(gè)Byte作為壞塊標(biāo)記的。

     深圳雷龍發(fā)展有限公司從事NANDFLASH行業(yè)10+年.目前代理ATO Solution小容量SLC NAND,SPI NAND,MCP等。想了解更多請(qǐng)咨詢扣二八伍二扒二陸扒六八；電話一三陸玖一玖八二一零柒