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標(biāo)題: Nand Flash的物理存儲(chǔ)單元的陣列組織結(jié)構(gòu) [打印本頁]

作者: 雷龍發(fā)展 時(shí)間: 2018-7-19 14:29
標(biāo)題: Nand Flash的物理存儲(chǔ)單元的陣列組織結(jié)構(gòu)

Nand Flash的物理存儲(chǔ)單元的陣列組織結(jié)構(gòu)

Nand flash的內(nèi)部組織結(jié)構(gòu)，此處還是用圖來解釋，比較容易理解：

圖2.Nand Flash物理存儲(chǔ)單元的陣列組織結(jié)構(gòu)

(, 下載次數(shù): 55)

上圖是AFND1G08U3的datasheet中的描述。

簡(jiǎn)單解釋就是:

1.一個(gè)nand flash由很多個(gè)塊（Block）組成，

塊的大小一般是

-> 128KB，

-> 256KB，

-> 512KB

此處是128KB。

2.每個(gè)塊里面又包含了很多頁（page）。每個(gè)頁的大小，

老的nand flash，頁大小是256B，512B，

這類的nand flash被稱作small block，。地址周期只有4個(gè)。

對(duì)于現(xiàn)在常見的nand flash多數(shù)是2KB，

被稱作big block，對(duì)應(yīng)的發(fā)讀寫命令地址，一共5個(gè)周期(cycle)，

更新的nand flash是4KB，

塊，也是Nand Flash的擦除操作的基本/最小單位。

3.每一個(gè)頁，對(duì)應(yīng)還有一塊區(qū)域，叫做空閑區(qū)域（spare area）/冗余區(qū)域（redundant area），而Linux系統(tǒng)中，一般叫做OOB（Out Of Band），這個(gè)區(qū)域，是最初基于Nand Flash的硬件特性：數(shù)據(jù)在讀寫時(shí)候相對(duì)容易錯(cuò)誤，所以為了保證數(shù)據(jù)的正確性，必須要有對(duì)應(yīng)的檢測(cè)和糾錯(cuò)機(jī)制，此機(jī)制被叫做EDC(Error Detection Code)/ECC（Error Code Correction,或者Error Checking and Correcting），所以設(shè)計(jì)了多余的區(qū)域，用于放置數(shù)據(jù)的校驗(yàn)值。

頁, 是Nand Flash的寫入操作的基本/最小的單位。

【Nand Flash數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元的整體架構(gòu)】

簡(jiǎn)單說就是，常見的nand flash，內(nèi)部只有一個(gè)chip，每個(gè)chip只有一個(gè)plane。

而有些復(fù)雜的，容量更大的nand flash，內(nèi)部有多個(gè)chip，每個(gè)chip有多個(gè)plane。這類的nand flash，往往也有更加高級(jí)的功能，比如Multi Plane Program和Interleave Page Program等。

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