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標題: SLC和MLC的實現(xiàn)機制 [打印本頁]
作者: 雷龍發(fā)展 時間: 2018-7-17 15:25
標題: SLC和MLC的實現(xiàn)機制
Nand Flash按照內(nèi)部存儲數(shù)據(jù)單元的電壓的不同層次，也就是單個內(nèi)存單元中，是存儲1位數(shù)據(jù)，還是多位數(shù)據(jù)，可以分為SLC和MLC：
1. SLC，Single Level Cell:
單個存儲單元，只存儲一位數(shù)據(jù)，表示成1或0.
就是上面介紹的，對于數(shù)據(jù)的表示，單個存儲單元中內(nèi)部所存儲電荷的電壓，和某個特定的閾值電壓Vth，相比，如果大于此Vth值，就是表示1，反之，小于Vth，就表示0.
對于nand Flash的數(shù)據(jù)的寫入1，就是控制External Gate去充電，使得存儲的電荷夠多，超過閾值Vth，就表示1了。而對于寫入0，就是將其放電，電荷減少到小于Vth，就表示0了。
關于為何Nand Flash不能從0變成1，我的理解是，物理上來說，是可以實現(xiàn)每一位的，從0變成1的，但是實際上，對于實際的物理實現(xiàn)，出于效率的考慮，如果對于，每一個存儲單元都能單獨控制，即，0變成1就是，對每一個存儲單元單獨去充電，所需要的硬件實現(xiàn)就很復雜和昂貴，同時，所進行對塊擦除的操作，也就無法實現(xiàn)之前的，一閃而過的速度了，也就失去了Flash的眾多特性了。
// 也就是放電的思路還是容易些。1->0
2. MLC，Multi Level Cell：
與SLC相對應，就是單個存儲單元，可以存儲多個位，比如2位，4位等。其實現(xiàn)機制，說起來比較簡單，就是，通過控制內(nèi)部電荷的多少，分成多個閾值，通過控制里面的電荷多少，而達到我們所需要的存儲成不同的數(shù)據(jù)。比如，假設輸入電壓是Vin＝4V（實際沒有這樣的電壓，此處只是為了舉例方便），那么，可以設計出2的2次方＝4個閾值，1/4的Vin＝1V，2/4的Vin＝2V，3/4的Vin＝3V，Vin＝4V，分別表示2位數(shù)據(jù)00，01，10，11，對于寫入數(shù)據(jù)，就是充電，通過控制內(nèi)部的電荷的多少，對應表示不同的數(shù)據(jù)。
對于讀取，則是通過對應的內(nèi)部的電流（與Vth成反比），然后通過一系列解碼電路完成讀取，解析出所存儲的數(shù)據(jù)。這些具體的物理實現(xiàn)，都是有足夠精確的設備和技術，才能實現(xiàn)精確的數(shù)據(jù)寫入和讀出的。
單個存儲單元可以存儲2位數(shù)據(jù)的，稱作2的2次方＝4 Level Cell，而不是2 Level Cell；
同理，對于新出的單個存儲單元可以存儲4位數(shù)據(jù)的，稱作2的4次方＝16 Level Cell。
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